2024-2030年中國氮化鎵市場研究與投資前景預(yù)測報告
- 【報告名稱】2024-2030年中國氮化鎵市場研究與投資前景預(yù)測報告
- 【關(guān) 鍵 字】氮化鎵 氮化鎵市場分析
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GaN屬于第三代半導(dǎo)體材料（又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料）。GaN的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Si和GaAs，具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優(yōu)勢。
目前第三代半導(dǎo)體材料以SiC和GaN為主。相較于SiC，GaN材料的優(yōu)勢主要是成本低，易于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。盡管耐壓能力低于SiC器件，但優(yōu)勢在于開關(guān)速度快。同時，GaN如果配合SiC襯底，器件可同時適用高功率和高頻率。
氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈基本包括襯底、外延片、器件制造等環(huán)節(jié)，其中硅基襯底主要供應(yīng)商有德國Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企業(yè)，而日本的NTT-AT、比利時的EpiGaN和英國的IQE等則是硅基GaN外延片的主要供應(yīng)商。部分廠商則在產(chǎn)業(yè)鏈上延伸，同時生產(chǎn)外延片及器件制造，例如Episil、Bridg、Fujitsu等。
目前主流氮化鎵生產(chǎn)廠家依舊集中在歐洲國家及日本等，我國企業(yè)尚未進入供給端第一梯隊。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2024-2030年中國氮化鎵市場研究與投資前景預(yù)測報告》報告中的資料和數(shù)據(jù)來源于對行業(yè)公開信息的分析、對業(yè)內(nèi)資深人士和相關(guān)企業(yè)高管的深度訪談，以及共研分析師綜合以上內(nèi)容作出的專業(yè)性判斷和評價。分析內(nèi)容中運用共研自主建立的產(chǎn)業(yè)分析模型，并結(jié)合市場分析、行業(yè)分析和廠商分析，能夠反映當(dāng)前市場現(xiàn)狀，趨勢和規(guī)律，是企業(yè)布局煤炭綜采設(shè)備后市場服務(wù)行業(yè)的重要決策參考依據(jù)。
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
第一節(jié) 氮化鎵基本介紹
一、氮化鎵簡介
二、氮化鎵形成階段
三、氮化鎵性能優(yōu)勢
四、氮化鎵半導(dǎo)體作用
第二節(jié) 氮化鎵材料的特性
一、結(jié)構(gòu)特性
二、化學(xué)特性
三、光學(xué)特性
四、電學(xué)性質(zhì)
第三節(jié) 氮化鎵的制備方法
第二章 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全面解析
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
一、第一代半導(dǎo)體材料
二、第二代半導(dǎo)體材料
三、第三代半導(dǎo)體材料
第二節(jié) 2022-2023年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
二、市場規(guī)模分析
三、市場競爭格局
四、市場研發(fā)突破
第三節(jié) 2022-2023年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
第四節(jié) 半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
第五節(jié) 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
第三章 2022-2023年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
二、民用市場起步
三、國產(chǎn)化將加速
四、成本競爭分析
五、GaN應(yīng)用項目
第二節(jié) 2022-2023年氮化鎵市場發(fā)展動況
一、射頻氮化鎵市場快速增長
二、GaN器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸
三、GaN市場增長驅(qū)動因素
第三節(jié) 氮化鎵材料專利分析
一、氮化鎵專利時間及區(qū)域分布
二、氮化鎵專利技術(shù)布局
三、氮化鎵重點研發(fā)機構(gòu)
四、氮化鎵高價值專利分析
五、國際競爭力提升建議
第四章 氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
第一節(jié) 發(fā)光二極管（LED）
一、發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
二、發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展?fàn)顩r
三、2022-2023年中國發(fā)光二極管進、出口數(shù)據(jù)分析
四、氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
五、氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
第二節(jié) 場效應(yīng)晶體管（FET）
一、場效應(yīng)晶體管發(fā)展概述
二、GaN
三、氮化鎵FET研究進展
第三節(jié) 激光二極管（LD）
一、激光二極管發(fā)展概述
二、激光二極管背景技術(shù)
三、2022-2023年中國激光器進、出口數(shù)據(jù)分析
四、GaN基激光器研究現(xiàn)狀
五、GaN基激光器材料分析
六、GaN基激光器的應(yīng)用
第四節(jié) 二極管（Diodes）
一、二極管（Diodes）發(fā)展概述
二、2022-2023年中國二極管進、出口數(shù)據(jù)分析
三、氮化鎵二極管研發(fā)動態(tài)
四、垂直GaN二極管技術(shù)突破
第五節(jié) 太陽能電池（SolarCells）
一、2022-2023年中國太陽能電池進、出口數(shù)據(jù)分析
二、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
三、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
四、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
五、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第五章 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
第一節(jié) 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第二節(jié) 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第三節(jié) 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第四節(jié) 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第五節(jié) 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
一、GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
二、GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
三、GaN對自動駕駛汽車的影響
四、GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
五、GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
六、GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
七、GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
第六章 2019-2022年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第一節(jié) 美高森美（Microsemi）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品
第二節(jié) Qorvo，Inc.
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用
第三節(jié) MACOM Technology Solutions Holdings，Inc.
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動態(tài)
第四節(jié) 雷神（Raytheon Company）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進展
第五節(jié) 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進展
第六節(jié) 英飛凌（Infineon Technologies AG）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)業(yè)務(wù)部門布局
第七章 2019-2022年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第一節(jié) 蘇州納維科技有限公司
第二節(jié) 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
第三節(jié) 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
第四節(jié) 三安光電股份有限公司
第五節(jié) 廈門乾照光電股份有限公司
第八章 2024-2030年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析
一、產(chǎn)業(yè)投資機會
二、企業(yè)投資動態(tài)
第二節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
一、市場發(fā)展機遇
二、未來競爭空間
三、市場發(fā)展?jié)摿?
第三節(jié) 2024-2030年氮化鎵市場預(yù)測分析
一、影響因素分析
二、市場規(guī)模預(yù)測
目前第三代半導(dǎo)體材料以SiC和GaN為主。相較于SiC，GaN材料的優(yōu)勢主要是成本低，易于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。盡管耐壓能力低于SiC器件，但優(yōu)勢在于開關(guān)速度快。同時，GaN如果配合SiC襯底，器件可同時適用高功率和高頻率。
氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈基本包括襯底、外延片、器件制造等環(huán)節(jié)，其中硅基襯底主要供應(yīng)商有德國Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企業(yè)，而日本的NTT-AT、比利時的EpiGaN和英國的IQE等則是硅基GaN外延片的主要供應(yīng)商。部分廠商則在產(chǎn)業(yè)鏈上延伸，同時生產(chǎn)外延片及器件制造，例如Episil、Bridg、Fujitsu等。
目前主流氮化鎵生產(chǎn)廠家依舊集中在歐洲國家及日本等，我國企業(yè)尚未進入供給端第一梯隊。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2024-2030年中國氮化鎵市場研究與投資前景預(yù)測報告》報告中的資料和數(shù)據(jù)來源于對行業(yè)公開信息的分析、對業(yè)內(nèi)資深人士和相關(guān)企業(yè)高管的深度訪談，以及共研分析師綜合以上內(nèi)容作出的專業(yè)性判斷和評價。分析內(nèi)容中運用共研自主建立的產(chǎn)業(yè)分析模型，并結(jié)合市場分析、行業(yè)分析和廠商分析，能夠反映當(dāng)前市場現(xiàn)狀，趨勢和規(guī)律，是企業(yè)布局煤炭綜采設(shè)備后市場服務(wù)行業(yè)的重要決策參考依據(jù)。
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
第一節(jié) 氮化鎵基本介紹
一、氮化鎵簡介
二、氮化鎵形成階段
三、氮化鎵性能優(yōu)勢
四、氮化鎵半導(dǎo)體作用
第二節(jié) 氮化鎵材料的特性
一、結(jié)構(gòu)特性
二、化學(xué)特性
三、光學(xué)特性
四、電學(xué)性質(zhì)
第三節(jié) 氮化鎵的制備方法
第二章 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全面解析
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
一、第一代半導(dǎo)體材料
二、第二代半導(dǎo)體材料
三、第三代半導(dǎo)體材料
第二節(jié) 2022-2023年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
二、市場規(guī)模分析
三、市場競爭格局
四、市場研發(fā)突破
第三節(jié) 2022-2023年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
第四節(jié) 半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
第五節(jié) 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
第三章 2022-2023年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
二、民用市場起步
三、國產(chǎn)化將加速
四、成本競爭分析
五、GaN應(yīng)用項目
第二節(jié) 2022-2023年氮化鎵市場發(fā)展動況
一、射頻氮化鎵市場快速增長
二、GaN器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸
三、GaN市場增長驅(qū)動因素
第三節(jié) 氮化鎵材料專利分析
一、氮化鎵專利時間及區(qū)域分布
二、氮化鎵專利技術(shù)布局
三、氮化鎵重點研發(fā)機構(gòu)
四、氮化鎵高價值專利分析
五、國際競爭力提升建議
第四章 氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
第一節(jié) 發(fā)光二極管（LED）
一、發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
二、發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展?fàn)顩r
三、2022-2023年中國發(fā)光二極管進、出口數(shù)據(jù)分析
四、氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
五、氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
第二節(jié) 場效應(yīng)晶體管（FET）
一、場效應(yīng)晶體管發(fā)展概述
二、GaN
三、氮化鎵FET研究進展
第三節(jié) 激光二極管（LD）
一、激光二極管發(fā)展概述
二、激光二極管背景技術(shù)
三、2022-2023年中國激光器進、出口數(shù)據(jù)分析
四、GaN基激光器研究現(xiàn)狀
五、GaN基激光器材料分析
六、GaN基激光器的應(yīng)用
第四節(jié) 二極管（Diodes）
一、二極管（Diodes）發(fā)展概述
二、2022-2023年中國二極管進、出口數(shù)據(jù)分析
三、氮化鎵二極管研發(fā)動態(tài)
四、垂直GaN二極管技術(shù)突破
第五節(jié) 太陽能電池（SolarCells）
一、2022-2023年中國太陽能電池進、出口數(shù)據(jù)分析
二、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
三、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
四、InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
五、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第五章 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
第一節(jié) 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第二節(jié) 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第三節(jié) 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第四節(jié) 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
第五節(jié) 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
一、GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
二、GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
三、GaN對自動駕駛汽車的影響
四、GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
五、GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
六、GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
七、GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
第六章 2019-2022年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第一節(jié) 美高森美（Microsemi）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品
第二節(jié) Qorvo，Inc.
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用
第三節(jié) MACOM Technology Solutions Holdings，Inc.
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動態(tài)
第四節(jié) 雷神（Raytheon Company）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進展
第五節(jié) 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進展
第六節(jié) 英飛凌（Infineon Technologies AG）
一、企業(yè)發(fā)展概況
二、企業(yè)經(jīng)營狀況
三、企業(yè)業(yè)務(wù)部門布局
第七章 2019-2022年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第一節(jié) 蘇州納維科技有限公司
第二節(jié) 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
第三節(jié) 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
第四節(jié) 三安光電股份有限公司
第五節(jié) 廈門乾照光電股份有限公司
第八章 2024-2030年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析
一、產(chǎn)業(yè)投資機會
二、企業(yè)投資動態(tài)
第二節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
一、市場發(fā)展機遇
二、未來競爭空間
三、市場發(fā)展?jié)摿?
第三節(jié) 2024-2030年氮化鎵市場預(yù)測分析
一、影響因素分析
二、市場規(guī)模預(yù)測
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