2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)深度研究與投資可行性報(bào)告
- 【報(bào)告名稱】2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)深度研究與投資可行性報(bào)告
- 【關(guān) 鍵 字】第三代半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體市場分析
- 【價(jià) 格】紙介版：9800元 電子版：9800元 紙介+電子：10000元
- 【訂購電話】400-700-9383(免長話費(fèi)) 010-80993936
- 【郵 箱】sales@chyxx.com
- 下載訂購協(xié)議 2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)深度研究與投資可行性報(bào)告.pdf
氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為最成熟的第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。
作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。
此外，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。
從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
1 GaN、SiC 能過夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。
2 GaN：氮化鎵（GaN） 是極其穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬和高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)為1700℃。GaN具有高的電離度，在三五族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠溆捕却螅运质且环N良好的涂層保護(hù)材料。GaN具有出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度。目前主要用于功率器件領(lǐng)域，未來在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。未來當(dāng)5G標(biāo)準(zhǔn)頻率超過40GHz，砷化鎵將無法負(fù)荷，必須采用氮化鎵。
3 SiC：碳化硅（SiC）俗稱金剛砂 為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結(jié)可得到堅(jiān)硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發(fā)光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導(dǎo)體。通過Lely法能生長出大塊的碳化硅單晶。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)深度研究與投資可行性報(bào)告》共八章。首先介紹了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、第三代半導(dǎo)體整體運(yùn)行態(tài)勢等，接著分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場運(yùn)行的現(xiàn)狀，然后介紹了第三代半導(dǎo)體市場競爭格局。隨后，報(bào)告對第三代半導(dǎo)體做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)庫。其中宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計(jì)局，部分行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計(jì)局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計(jì)局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)庫及證券交易所等，價(jià)格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測數(shù)據(jù)庫。
報(bào)告目錄：
第一章 第三代半導(dǎo)體行業(yè)概述
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力（圖2），更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導(dǎo)體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。
相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場。42GHz頻率的SiCMESFET用在軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC作為襯底的高亮度藍(lán)光LED是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
在碳化硅SiC中摻雜氮或磷可以形成n型半導(dǎo)體，而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導(dǎo)體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數(shù)量級可與金屬比擬的導(dǎo)電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下?lián)碛谐瑢?dǎo)性，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場行為有明顯區(qū)別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是II型半導(dǎo)體，但摻雜硼的碳化硅則是I型半導(dǎo)體。
第三代半導(dǎo)體材料優(yōu)勢明顯
回顧半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，其先后經(jīng)歷了以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料，在上個(gè)世紀(jì)，這兩代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進(jìn)步、社會(huì)發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料被統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體材料。
1 作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。
2 從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
3 作為新一代半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵器件，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。
4 與第一代半導(dǎo)體材料硅相比，碳化硅有諸多優(yōu)點(diǎn)：有高10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，使其小至LED照明、家用電器、新能源汽車，大至軌道交通、智能電網(wǎng)、軍工航天都具備優(yōu)勢，所以碳化硅市場被各產(chǎn)業(yè)界頗為看好。
5 而氮化鎵直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，氮化鎵占絕對的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，碳化硅適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域�？芍^各有優(yōu)勢。
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)定義及分類
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展及應(yīng)用領(lǐng)域
第三節(jié) 主要國家第三代半導(dǎo)體發(fā)展
第二章 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策
一、國家"十三五"行業(yè)政策
二、其他相關(guān)政策
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展社會(huì)環(huán)境分析
第三章 中國半導(dǎo)體行業(yè)供需現(xiàn)狀分析
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)總體規(guī)模
第二節(jié) 半導(dǎo)體所屬行業(yè)產(chǎn)量概況
一、2017-2022年產(chǎn)量分析
二、2022年產(chǎn)量
第三節(jié) 半導(dǎo)所屬行業(yè)體進(jìn)出口概況
一、2017-2022年進(jìn)出口分析
二、2022年進(jìn)出口
第四節(jié) 半導(dǎo)體市場需求量概況
一、2017-2022年市場需求量分析
二、2022年市場需求量
第四章 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)總體發(fā)展情況分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)規(guī)模情況分析
一、行業(yè)單位規(guī)模情況分析
二、行業(yè)利潤總額狀況分析
三、行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模狀況分析
四、行業(yè)市場規(guī)模狀況分析
第二節(jié) 行業(yè)競爭結(jié)構(gòu)分析
一、現(xiàn)有企業(yè)間競爭
二、潛在進(jìn)入者分析
三、替代品威脅分析
四、上游議價(jià)能力分析
五、下游議價(jià)能力分析
第三節(jié) 第三代半導(dǎo)體的綜合加工技術(shù)進(jìn)展
第四節(jié) 國際競爭力比較
第五章 2022年我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)重點(diǎn)區(qū)域分析
第一節(jié) 環(huán)渤海
第二節(jié) 長三角
第三節(jié) 珠三角
第四節(jié) 重點(diǎn)省市分析
1、深圳
1、北京
3、上海
4、江蘇
5、西安
第六章 第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場分析
第一節(jié) 全球重點(diǎn)產(chǎn)品
一、市場占有率
二、市場應(yīng)用及特點(diǎn)
第二節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體品牌競爭概況
第三節(jié) 產(chǎn)品細(xì)分
第七章 第三代半導(dǎo)體國內(nèi)重點(diǎn)生產(chǎn)廠家分析
第一節(jié) 三安光電股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第二節(jié) 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第三節(jié) 國民技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第四節(jié) 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第五節(jié) 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第六節(jié) 杭州士蘭微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第七節(jié) 上海貝嶺股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八節(jié) 吉林華微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八章 2024-2030年第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風(fēng)險(xiǎn)分析
第一節(jié) 當(dāng)前第三代半導(dǎo)體市場存在的問題
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展預(yù)測分析
一、2022年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展規(guī)模
二、2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測分析
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析
（一）宏觀經(jīng)濟(jì)風(fēng)險(xiǎn)
（二）產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)
（三）市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
（四）技術(shù)淘汰風(fēng)險(xiǎn)
第四節(jié)投資建議
圖表目錄
圖表 1 寬禁帶半導(dǎo)體材料（第一代~第三代）的重要參數(shù)對比
圖表 2 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 3 LED三種襯底
圖表 4 SiC和GaN商業(yè)化功率器件發(fā)展歷程
圖表 5 SiC半導(dǎo)體材料及器件的發(fā)展過程
圖表 6 SiC器件市場發(fā)展趨勢預(yù)測分析
圖表 7 GaN基功率器件的發(fā)展歷程
圖表 8 國際上涉及GaN微波器件的主要廠商
圖表 9 2017-2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模
圖表 10 2017-2022年我國半導(dǎo)體產(chǎn)值規(guī)模
圖表 11 中國主要半導(dǎo)體制造、設(shè)計(jì)、封測公司列表
圖表 12 "中國制造2025"大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表 13 2024-2030年大陸IC制造產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表 14 2024-2030年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表 15 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線
圖表 16 2017-2022年我國集成電路產(chǎn)量
圖表 17 2017-2022年我國集成電路進(jìn)出口總量
圖表 18 2017-2022年我國集成電路需求量
圖表 19 2017-2022年我國集成電路行業(yè)企業(yè)數(shù)量
圖表 20 2017-2022年我國集成電路行業(yè)利潤總額
圖表 21 2017-2022年我國集成電路行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模
圖表 22 2017-2022年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 23 第三代半導(dǎo)體行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅分析
圖表 24 第三代半導(dǎo)體行業(yè)替代品威脅分析
圖表 25 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈變遷與產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移
圖表 26 美日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 27 韓臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 28 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原因剖析
圖表 29 2022年北京集成電路產(chǎn)業(yè)概況
圖表 30 2017-2022年上海集成電路、封裝測試銷售規(guī)模
更多圖表請見正文……
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。
作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。
此外，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。
從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
1 GaN、SiC 能過夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。
2 GaN：氮化鎵（GaN） 是極其穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬和高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)為1700℃。GaN具有高的電離度，在三五族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠溆捕却螅运质且环N良好的涂層保護(hù)材料。GaN具有出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度。目前主要用于功率器件領(lǐng)域，未來在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。未來當(dāng)5G標(biāo)準(zhǔn)頻率超過40GHz，砷化鎵將無法負(fù)荷，必須采用氮化鎵。
3 SiC：碳化硅（SiC）俗稱金剛砂 為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結(jié)可得到堅(jiān)硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發(fā)光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導(dǎo)體。通過Lely法能生長出大塊的碳化硅單晶。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)深度研究與投資可行性報(bào)告》共八章。首先介紹了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、第三代半導(dǎo)體整體運(yùn)行態(tài)勢等，接著分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場運(yùn)行的現(xiàn)狀，然后介紹了第三代半導(dǎo)體市場競爭格局。隨后，報(bào)告對第三代半導(dǎo)體做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)庫。其中宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計(jì)局，部分行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計(jì)局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計(jì)局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)庫及證券交易所等，價(jià)格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測數(shù)據(jù)庫。
報(bào)告目錄：
第一章 第三代半導(dǎo)體行業(yè)概述
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力（圖2），更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導(dǎo)體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。
相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場。42GHz頻率的SiCMESFET用在軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC作為襯底的高亮度藍(lán)光LED是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。
在碳化硅SiC中摻雜氮或磷可以形成n型半導(dǎo)體，而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導(dǎo)體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數(shù)量級可與金屬比擬的導(dǎo)電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下?lián)碛谐瑢?dǎo)性，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場行為有明顯區(qū)別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是II型半導(dǎo)體，但摻雜硼的碳化硅則是I型半導(dǎo)體。
第三代半導(dǎo)體材料優(yōu)勢明顯
回顧半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，其先后經(jīng)歷了以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料，在上個(gè)世紀(jì)，這兩代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進(jìn)步、社會(huì)發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料被統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體材料。
1 作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。
2 從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
3 作為新一代半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵器件，第三代半導(dǎo)體材料還具有廣泛的基礎(chǔ)性和重要的引領(lǐng)性。從目前第三代半導(dǎo)體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料，也是最具有發(fā)展前景的兩種材料。
4 與第一代半導(dǎo)體材料硅相比，碳化硅有諸多優(yōu)點(diǎn)：有高10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，使其小至LED照明、家用電器、新能源汽車，大至軌道交通、智能電網(wǎng)、軍工航天都具備優(yōu)勢，所以碳化硅市場被各產(chǎn)業(yè)界頗為看好。
5 而氮化鎵直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，氮化鎵占絕對的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，碳化硅適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域�？芍^各有優(yōu)勢。
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)定義及分類
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展及應(yīng)用領(lǐng)域
第三節(jié) 主要國家第三代半導(dǎo)體發(fā)展
第二章 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境分析
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策
一、國家"十三五"行業(yè)政策
二、其他相關(guān)政策
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展社會(huì)環(huán)境分析
第三章 中國半導(dǎo)體行業(yè)供需現(xiàn)狀分析
第一節(jié) 第三代半導(dǎo)體行業(yè)總體規(guī)模
第二節(jié) 半導(dǎo)體所屬行業(yè)產(chǎn)量概況
一、2017-2022年產(chǎn)量分析
二、2022年產(chǎn)量
第三節(jié) 半導(dǎo)所屬行業(yè)體進(jìn)出口概況
一、2017-2022年進(jìn)出口分析
二、2022年進(jìn)出口
第四節(jié) 半導(dǎo)體市場需求量概況
一、2017-2022年市場需求量分析
二、2022年市場需求量
第四章 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)總體發(fā)展情況分析
第一節(jié) 中國半導(dǎo)體所屬行業(yè)規(guī)模情況分析
一、行業(yè)單位規(guī)模情況分析
二、行業(yè)利潤總額狀況分析
三、行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模狀況分析
四、行業(yè)市場規(guī)模狀況分析
第二節(jié) 行業(yè)競爭結(jié)構(gòu)分析
一、現(xiàn)有企業(yè)間競爭
二、潛在進(jìn)入者分析
三、替代品威脅分析
四、上游議價(jià)能力分析
五、下游議價(jià)能力分析
第三節(jié) 第三代半導(dǎo)體的綜合加工技術(shù)進(jìn)展
第四節(jié) 國際競爭力比較
第五章 2022年我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)重點(diǎn)區(qū)域分析
第一節(jié) 環(huán)渤海
第二節(jié) 長三角
第三節(jié) 珠三角
第四節(jié) 重點(diǎn)省市分析
1、深圳
1、北京
3、上海
4、江蘇
5、西安
第六章 第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場分析
第一節(jié) 全球重點(diǎn)產(chǎn)品
一、市場占有率
二、市場應(yīng)用及特點(diǎn)
第二節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體品牌競爭概況
第三節(jié) 產(chǎn)品細(xì)分
第七章 第三代半導(dǎo)體國內(nèi)重點(diǎn)生產(chǎn)廠家分析
第一節(jié) 三安光電股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第二節(jié) 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第三節(jié) 國民技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第四節(jié) 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第五節(jié) 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第六節(jié) 杭州士蘭微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第七節(jié) 上海貝嶺股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八節(jié) 吉林華微電子股份有限公司
一、企業(yè)基本概況
二、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
三、企業(yè)盈利能力分析
四、企業(yè)償債能力分析
五、企業(yè)運(yùn)營能力分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八章 2024-2030年第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風(fēng)險(xiǎn)分析
第一節(jié) 當(dāng)前第三代半導(dǎo)體市場存在的問題
第二節(jié) 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展預(yù)測分析
一、2022年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展規(guī)模
二、2024-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測分析
第三節(jié) 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)分析
（一）宏觀經(jīng)濟(jì)風(fēng)險(xiǎn)
（二）產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)
（三）市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
（四）技術(shù)淘汰風(fēng)險(xiǎn)
第四節(jié)投資建議
圖表目錄
圖表 1 寬禁帶半導(dǎo)體材料（第一代~第三代）的重要參數(shù)對比
圖表 2 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域
圖表 3 LED三種襯底
圖表 4 SiC和GaN商業(yè)化功率器件發(fā)展歷程
圖表 5 SiC半導(dǎo)體材料及器件的發(fā)展過程
圖表 6 SiC器件市場發(fā)展趨勢預(yù)測分析
圖表 7 GaN基功率器件的發(fā)展歷程
圖表 8 國際上涉及GaN微波器件的主要廠商
圖表 9 2017-2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模
圖表 10 2017-2022年我國半導(dǎo)體產(chǎn)值規(guī)模
圖表 11 中國主要半導(dǎo)體制造、設(shè)計(jì)、封測公司列表
圖表 12 "中國制造2025"大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表 13 2024-2030年大陸IC制造產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表 14 2024-2030年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表 15 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線
圖表 16 2017-2022年我國集成電路產(chǎn)量
圖表 17 2017-2022年我國集成電路進(jìn)出口總量
圖表 18 2017-2022年我國集成電路需求量
圖表 19 2017-2022年我國集成電路行業(yè)企業(yè)數(shù)量
圖表 20 2017-2022年我國集成電路行業(yè)利潤總額
圖表 21 2017-2022年我國集成電路行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模
圖表 22 2017-2022年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 23 第三代半導(dǎo)體行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅分析
圖表 24 第三代半導(dǎo)體行業(yè)替代品威脅分析
圖表 25 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈變遷與產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移
圖表 26 美日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 27 韓臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖
圖表 28 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原因剖析
圖表 29 2022年北京集成電路產(chǎn)業(yè)概況
圖表 30 2017-2022年上海集成電路、封裝測試銷售規(guī)模
更多圖表請見正文……
相關(guān)閱讀
- 2024-2030年中國化合物二極管行業(yè)前景研究與投資分析報(bào)告
- 2024-2030年中國壓電陶瓷晶片行業(yè)前景研究與發(fā)展前景報(bào)告
- 2024-2030年中國高頻三極管行業(yè)研究與行業(yè)前景預(yù)測報(bào)告
- 2024-2030年中國靜汞電極行業(yè)前景研究與發(fā)展前景預(yù)測報(bào)告
- 2024-2030年中國壓電陶瓷片市場深度研究與投資潛力分析報(bào)告
- 2024-2030年中國PLD/FPGA制造市場深度研究與投資前景報(bào)告
- 2024-2030年中國半導(dǎo)體激光芯片行業(yè)研究與行業(yè)競爭對手分析報(bào)告
- 2024-2030年中國生物傳感器行業(yè)研究與投資戰(zhàn)略研究報(bào)告
微信客服
專業(yè)客服全面為您提供專業(yè)周到的服務(wù)，及時(shí)解決您的需求！
關(guān)于產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)
-
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)是由北京智研科信咨詢有限公司開通運(yùn)營的一家大型行業(yè)研究咨詢網(wǎng)站，主要致力于為各行業(yè)提供最全最新的深度研究報(bào)告，提供客觀、理性、簡便的決策參考，提供降低投資風(fēng)險(xiǎn)，提高投資收益的有效工具，也是一個(gè)幫助咨詢行業(yè)人員交流成果、交流報(bào)告、交流觀點(diǎn)、交流經(jīng)驗(yàn)的平臺(tái)。依托于各行業(yè)協(xié)會(huì)、政府機(jī)構(gòu)獨(dú)特的資源優(yōu)勢，致力于發(fā)展中國機(jī)械電子、電力家電、能源礦產(chǎn)、鋼鐵冶金、服裝紡織、食品煙酒、醫(yī)藥保健、石油化工、建筑房產(chǎn)、建材家具、輕工紙業(yè)、出版?zhèn)髅健⒔煌ㄎ锪�、IT通訊、零售服務(wù)等行業(yè)信息咨詢、市場研究的專業(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu)。
品質(zhì)保障
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)成立于2008年，具有15年產(chǎn)業(yè)咨詢經(jīng)驗(yàn)。
客戶好評
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)目前累計(jì)服務(wù)客戶上萬家，客戶覆蓋全球，得到客戶一致好評。
精益求精
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)精益求精的完善研究方法，用專業(yè)和科學(xué)的研究模型和調(diào)研方法，不斷追求數(shù)據(jù)和觀點(diǎn)的客觀準(zhǔn)確。
引用廣泛
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)觀點(diǎn)和數(shù)據(jù)被媒體、機(jī)構(gòu)、券商廣泛引用和轉(zhuǎn)載，具有廣泛的品牌知名度。
購買流程
-
選擇報(bào)告- ① 按行業(yè)瀏覽
- ② 按名稱或內(nèi)容關(guān)鍵字查詢
-
訂購方式- ① 電話購買
- 拔打中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)客服電話:
400-700-9383 010-80993936 - ② 在線訂購
- 點(diǎn)擊“在線訂購”進(jìn)行報(bào)告訂購，我們的客服人員將在24小時(shí)內(nèi)與您取得聯(lián)系；
- ③ 郵件訂購
- 發(fā)送郵件到sales@chyxx.com，我們的客服人員及時(shí)與您取得聯(lián)系；
-
簽訂協(xié)議- 您可以從網(wǎng)上下載“報(bào)告訂購協(xié)議”或我們傳真或者郵寄報(bào)告訂購協(xié)議給您；
-
付款方式
- 通過銀行轉(zhuǎn)賬、網(wǎng)上銀行、郵局匯款的形式支付報(bào)告購買款，我們見到匯款底單或轉(zhuǎn)賬底單后，1－3個(gè)工作日內(nèi);
-
匯款信息
- 開戶行：中國工商銀行北京分行西潞園分理處
- 帳戶名：北京智研科信咨詢有限公司
- 帳 號：02000 26509 20009 4268
典型客戶
最新標(biāo)簽
醫(yī)用腹膜透析機(jī)(0) 心電監(jiān)護(hù)系統(tǒng)(0) 旋臂起重機(jī)(0) 助力機(jī)械手(0) 碼垛機(jī)器人(0) 搬運(yùn)型機(jī)器人(2) 單甘酯(1) 焦磷酸鉀(1) 月桂醇硫酸鈉(1) 沉淀硫酸鋇(1) 二氧化氯消毒劑(1) 十二水硫酸鋁鉀(1) 智能生態(tài)魚缸(1) 無土栽培技術(shù)(1) 盆栽葡萄(1) 固體水(1) 氨水肥(1) 隱形牙套(1) 汞合金輸送器(1) 鉿合金(1) 磷酸二氫銨(1) 造紙消泡劑(1) 水性潤濕劑(1) 水性涂料助劑(1) 飾品店(1) 紅曲黃酒(1) 兒童保溫杯(1) 兒童吸管杯(1) 米粉勺(1) 彩棉嬰兒服(1)