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2018-2024年中國三氟化氮市場深度調(diào)查與投資策略報(bào)告

字體大小：大中小2018-08-23 中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng) http://www.sjzruhua.cn

【報(bào)告名稱】2018-2024年中國三氟化氮市場深度調(diào)查與投資策略報(bào)告
【關(guān) 鍵字】三氟化氮三氟化氮市場分析
【出版日期】2018-8
【交付方式】Email電子版/特快專遞
【價(jià)　　格】紙介版：9800元電子版：9800元紙介+電子：10000元
【訂購電話】400-700-9383(免長話費(fèi)) 010-80993936
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三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25%）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對(duì)硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對(duì)表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時(shí)也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。

2011-2017年中國三氟化氮（28129011）進(jìn)口數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表

年份	進(jìn)口（千克、千美元）
年份	數(shù)量	金額
2011年	659738	28,181
2012年	959666	34457
2013年	942620	28159
2014年	981149	26,158
2015年	**	**
2016年	**	**
2017年	**	**

數(shù)據(jù)來源：中國海關(guān)、中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)整理

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報(bào)告目錄：

第.一章三氟化氮產(chǎn)品概述

1.1 電子特種氣體——三氟化氮概述

1.2 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)與市場簡述

1.2.1三氟化氮的應(yīng)用領(lǐng)域

1.2.2三氟化氮的市場簡況

1.2.3 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)簡況

1.3 三氟化氮行業(yè)的特點(diǎn)

1.3.1 行業(yè)興衰與半導(dǎo)體、光伏、液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著關(guān)系密切

1.3.2 三氟化氮產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)得到發(fā)揮

1.3.3 市場壟斷性強(qiáng)

1.3.4 近年全球三氟化氮應(yīng)用市場在迅速擴(kuò)大

1.4 在當(dāng)前環(huán)境保護(hù)要求的形勢(shì)變化下三氟化氮產(chǎn)品發(fā)展前景成為變數(shù)

1.4.1 三氟化氮成為氣候變化新威脅UNFCC已將其列入“監(jiān)管”氣體之中

1.4.2 三氟化氮替代產(chǎn)品得到發(fā)展

第二章 電子特種氣體、氟化工品應(yīng)用市場

2.1 電子特種氣體概述

2.2 電子特種氣體制造中的主要技術(shù)方面

2.3 電子特種氣體的純凈度要求

2.4 電子特種氣體產(chǎn)品市場競爭的焦點(diǎn)問題

2.4.1 對(duì)電子特種氣體雜質(zhì)、純度要求的問題

2.4.2 氣體配送及供應(yīng)問題

2.4.3 儲(chǔ)存、使用中的安全性問題

2.4.4 成本性問題

2.5 國內(nèi)外電子特種氣體行業(yè)發(fā)展概述

2.5.1 境外電子特種氣體生產(chǎn)與市場情況

2.5.2 國內(nèi)電子特種氣體行業(yè)及其發(fā)展

2.6 氟化工產(chǎn)業(yè)概述

2.6.1 氟化工產(chǎn)業(yè)中的重要產(chǎn)品

2.6.2 我國氟化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況

第三章 三氟化氮的主要特性

3.1 物理特性

3.2 毒性及危險(xiǎn)性

3.3 反應(yīng)性

3.4 相關(guān)的安全性

3.5 主要性能及標(biāo)準(zhǔn)

3.5.1 對(duì)純度的一般質(zhì)量指標(biāo)要求

3.5.2 美國氣體及化學(xué)產(chǎn)品公司的NF3的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及產(chǎn)品不同等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)要求

3.5.3 SEMI的三氟化氮標(biāo)準(zhǔn)

3.5.4 三氟化氮我國國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 21287-2011）

第四章 三氟化氮的主要生產(chǎn)工藝方法

4.1 NF3的制備方法

4.1.1 概述

4.1.2 直接化合法

4.1.3 氟和氟化氫銨法

4.1.5 電解法

4.2 NF3粗品純化工藝加工

4.2.1 NF3粗品純化工藝法的種類

4.2.2 低溫精餾法

4.2.3 化學(xué)吸收法

4.2.4 化學(xué)轉(zhuǎn)化法

4.2.5 選擇吸附法

4.3 安全生產(chǎn)的問題

4.4 在半導(dǎo)體晶元工廠的供應(yīng)系統(tǒng)

第五章 三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域概述

5.1 概述

5.2 三氟化氮在集成電路中的應(yīng)用

5.2.1 集成電路芯片制程

5.2.2 化學(xué)氣相沉積和氣體應(yīng)用

5.3 作為清洗劑、刻蝕劑在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

5.3.1 替代PFC作為清洗劑

5.3.2 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）

5.3.3 在PECVD的干刻蝕、清洗加工中的應(yīng)用

5.4 高純NF3在薄膜硅太陽電池中的應(yīng)用

5.4.1 非晶硅薄膜太陽能電池

5.4.2 Si薄膜的材料特性

5.4.3 非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝及高純硅烷其應(yīng)用

5.5 用三氟化氮作氟化劑

5.5.1 六氟化鎢的理化性質(zhì)及用途

5.5.2 NF3是制造WF6

5.5.3 世界WF6 的生產(chǎn)現(xiàn)況

5.5.4 國內(nèi)生產(chǎn)WF6的情況

5.6 三氟化氮作為氟源在化學(xué)激光器中應(yīng)用

5.7 NF3在IC和TFT-LCD應(yīng)用市場擴(kuò)展的三階段

5.8 NF3在不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例

第六章 世界及我國NF3的半導(dǎo)體市場調(diào)查與分析

6.1 世界半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)與市場發(fā)展

6.1.1 世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的現(xiàn)況

6.1.2 世界半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)狀況

6.2 我國半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)與市場現(xiàn)況與發(fā)展

6.2.1 我國集成電路市場、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

6.2.2 我國集成電路晶圓制造業(yè)情況

6.2.3 我國集成電路晶圓主要生產(chǎn)廠家情況

第七章 三氟化氮行業(yè)進(jìn)出口數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)分析

7.1 2012-2017年中國三氟化氮進(jìn)口數(shù)據(jù)分析

7.1.1 進(jìn)口數(shù)量分析

7.1.2 進(jìn)口金額分析

7.2 2012-2017年中國三氟化氮出口數(shù)據(jù)分析

7.2.1 出口數(shù)量分析

2011-2017年中國三氟化氮（28129011）行業(yè)出口數(shù)量統(tǒng)計(jì)表

年份	出口數(shù)量（千克）
2011年	30451
2012年	38995
2013年	19180
2014年	27380
2015年	**
2016年	**
2017年	**

數(shù)據(jù)來源：中國海關(guān)、中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)整理

7.2.2 出口金額分析

2009-2017年中國三氟化氮（28129011）行業(yè)出口金額統(tǒng)計(jì)表

年份	出口金額（千美元）
2011年	1,186
2012年	1421
2013年	677
2014年	834
2015年	**
2016年	**
2017年	**

數(shù)據(jù)來源：中國海關(guān)、中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)整理

7.3 2012-2017年中國三氟化氮進(jìn)出口平均單價(jià)分析

2011-2017年中國三氟化氮（28129011）進(jìn)出口平均單價(jià)分析

年份	進(jìn)口平均價(jià)格（美元/噸）	出口平均價(jià)格（美元/噸）
2011年	42715.44	38947.82
2012年	35905.20	36440.57
2013年	29873.12	35297.18
2014年	26660.58	30460.19
2015年	**	**
2016年	**	**
2017年	**	**

數(shù)據(jù)來源：中國海關(guān)、中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)整理

7.4 2012-2017年中國三氟化氮進(jìn)出口國家及地區(qū)分析

7.4.1 進(jìn)口國家及地區(qū)分析

7.4.2 出口國家及地區(qū)分析

第八章 世界及我國NF3的液晶顯示器市場調(diào)查與分析

8.1 世界平板顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況

8.2 我國平板顯示器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與未來發(fā)展預(yù)測(cè)

8.2.1 我國液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述

8.2.2 我國LCD面板生產(chǎn)現(xiàn)況與未來幾年發(fā)展預(yù)測(cè)

8.2.3 我國發(fā)展平板顯示產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策及未來發(fā)展的預(yù)測(cè)、分析

第九章 世界及我國NF3的薄膜硅太陽電池市場調(diào)查與分析

9.1 國內(nèi)外光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

9.1.1 世界光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展

9.1.2 我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境與現(xiàn)況

9.2 薄膜太陽能電池的生產(chǎn)與市場

9.2.1 薄膜太陽能電池特點(diǎn)及品種

9.2.2 薄膜太陽能電池未來市場發(fā)展前景

9.2.3 薄膜太陽能電池生產(chǎn)及在光伏市場上的份額變化

9.3 國內(nèi)外薄膜太陽能電池的主要生產(chǎn)企業(yè)

9.3.1 境外薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況

9.3.2 國內(nèi)薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況

第十章 世界NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展

10.1 概述

10.2 世界三氟化氮生產(chǎn)現(xiàn)況

10.3 美國的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家

10.3.1 美國AP公司

10.3.2 杜邦公司

10.4 日本的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家

10.4.1 關(guān)東電化工業(yè)公司

10.4.2 三井化學(xué)公司

10.4.3 中央玻璃公司

10.5 韓國的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家

10.5.1 AP公司韓國蔚山分廠

10.5.2 韓國SODIFF新素材有限公司

10.6 臺(tái)灣的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠家

第十一章 我國國內(nèi)NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展

11.1 國內(nèi)NF3生產(chǎn)的發(fā)展

11.2 國內(nèi)NF3生產(chǎn)需求市場

11.3 國內(nèi)NF3的主要生產(chǎn)廠家

11.3.1 國內(nèi)NF3的生產(chǎn)廠家概述

11.3.2 中核紅華特種氣體股份有限公司

11.3.3 湖北沙隆達(dá)天門農(nóng)化有限責(zé)任公司

11.3.4 中國船舶重工集團(tuán)第七一八研究所

11.3.5 其它廠家

11.4 國內(nèi)與NF3氣體相關(guān)的科研、協(xié)會(huì)機(jī)構(gòu)

圖表目錄

圖表：半導(dǎo)體制造業(yè)用特種氣體按其使用時(shí)的特性分類情況

圖表：全球半導(dǎo)體工業(yè)用主要幾種高純度氣體的市場規(guī)模變化情況

圖表：氟化工產(chǎn)業(yè)鏈的構(gòu)成情況

圖表：NF3分子結(jié)構(gòu)圖

圖表：SEMI標(biāo)準(zhǔn)中NF3中 CF4、CO2、N2O、SF6和 CO 的分析流程圖

圖表：氣-固反應(yīng)器圖

圖表：氣-液反應(yīng)器圖

圖表：氣-液反應(yīng)法的生產(chǎn)流程圖

圖表：電解槽結(jié)構(gòu)圖

圖表：低溫精餾過程示意圖

圖表：色譜分離氣體流程圖

圖表：典型半導(dǎo)體晶元工廠的特氣供應(yīng)系統(tǒng)流程圖

圖表：三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域

圖表：IC硅片制造前工程的過程

圖表：各種CVD法反應(yīng)裝置的原理

圖表：PECVD裝置

圖表：三氟化氮在半導(dǎo)體芯片加工制造環(huán)節(jié)中的應(yīng)用示意圖

圖表：TFT 陣列構(gòu)成

圖表：等離子體CVD加工工序及SiH4等電子特氣的供應(yīng)系統(tǒng)

圖表：所示了采用等離子體CVD法制作TFT陣列的實(shí)際裝備例

圖表：TFT 陣列形成過程及NF3在采用等離子體CVD法形成TFT 陣列形成中作用

圖表：Si基薄膜的種類、特征及晶體結(jié)構(gòu)

圖表：Si基薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)

圖表：非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝過程

圖表：NF3不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例

圖表：2015-2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模和年增幅統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)

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