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2018-2024年中國氮化鎵(GaN)行業(yè)分析與發(fā)展前景分析報告

Tag:氮化鎵(GaN)  
報告目錄:
第.一章氮化鎵相關(guān)概述
1.1氮化鎵基本介紹
1.1.1氮化鎵簡介
1.1.2氮化鎵形成階段
1.1.3氮化鎵性能優(yōu)勢
1.1.4氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2氮化鎵材料的特性
1.2.1結(jié)構(gòu)特性
1.2.2化學(xué)特性
1.2.3光學(xué)特性
1.2.4電學(xué)性質(zhì)
1.3氮化鎵的制備方法
1.3.1金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)
1.3.2分子束外延(MBE)技術(shù)
1.3.3氫化物氣相外延(HVPE)技術(shù)
1.3.4懸空外延技術(shù)(Pendeo-epitaxy)
 
第二章2015-2017年半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全 面解析
2.1半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1第.一代半導(dǎo)體材料
2.1.2第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3第三代半導(dǎo)體材料
2.22015-2017年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.2.1產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
2.2.2市場規(guī)模分析
2.2.3市場競爭格局
2.2.4市場研發(fā)突破
2.32015-2017年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1行業(yè)銷售規(guī)模
2.3.2市場格局分析
2.3.3市場研發(fā)狀況
2.3.4產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
2.3.5行業(yè)成果分析
2.4半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重
2.4.3供應(yīng)鏈不完善
2.4.4產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新不足
2.4.5行業(yè)發(fā)展建議
2.5半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2行業(yè)需求分析
2.5.3行業(yè)前景分析
 
第三章2015-2017年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.2民用市場起步
3.1.3國產(chǎn)化將加速
3.1.4成本競爭分析
3.1.5GaN應(yīng)用項目
3.22015-2017年氮化鎵市場發(fā)展動況
3.2.1射頻氮化鎵市場快速增長
3.2.2GaN器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸
3.2.3GaN市場增長驅(qū)動因素
3.3氮化鎵材料專利分析
3.3.1氮化鎵專利時間及區(qū)域分布
3.3.2氮化鎵專利技術(shù)布局
3.3.3氮化鎵重點研發(fā)機(jī)構(gòu)
3.3.4氮化鎵高價值專利分析
3.3.5國際競爭力提升建議
 
第四章2015-2017年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
4.1發(fā)光二極管(LED)
4.1.1發(fā)光二極管(LED)發(fā)展概述
4.1.2發(fā)光二極管(LED)市場發(fā)展?fàn)顩r
4.1.32015-2017年中國發(fā)光二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
4.2場效應(yīng)晶體管(FET)
4.2.1場效應(yīng)晶體管發(fā)展概述
4.2.2GaN
4.2.3氮化鎵FET研究進(jìn)展
4.3激光二極管(LD)
4.3.1激光二極管發(fā)展概述
4.3.2激光二極管背景技術(shù)
4.3.32015-2017年中國激光器進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.3.4GaN基激光器研究現(xiàn)狀
4.3.5GaN基激光器材料分析
4.3.6GaN基激光器的應(yīng)用
4.4二極管(Diodes)
4.4.1二極管(Diodes)發(fā)展概述
4.4.22015-2017年中國二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.4.3氮化鎵二極管研發(fā)動態(tài)
4.4.4垂直GaN二極管技術(shù)突破
4.5太陽能電池(SolarCells)
4.5.12015-2017年中國太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.5.2InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
4.5.3InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.5.4InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.5.5InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
 
第五章2015-2017年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.1氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.1.1發(fā)展電力電子器件產(chǎn)業(yè)的重要意義
5.1.2電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
5.1.3GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
5.1.4GaN電力電子器件研究進(jìn)展
5.1.5GaN組件商品化帶來的機(jī)遇
5.1.6電力電子器件市場未來發(fā)展方向
5.1.7“十三五”中國電力電子發(fā)展重點
5.1.8“十三五”中國電力電子發(fā)展展望
5.2氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.2.1新能源行業(yè)發(fā)展形勢
5.2.2新能源發(fā)電裝機(jī)規(guī)模
5.2.3GaN大功率器件需求潛力
5.3氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.3.1發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2智能電力設(shè)備發(fā)展分析
5.3.3智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
5.3.4GaN大功率器件需求潛力
5.4氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.4.1通訊設(shè)備市場需求分析
5.4.2通訊設(shè)備制造業(yè)運行分析
5.4.3GaN大功率器件需求潛力
5.5氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
5.5.1GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.5.2GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
5.5.3GaN對自動駕駛汽車的影響
5.5.4GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.5GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.6GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
5.5.7GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
 
第六章2015-2017年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
6.1美高森美(Microsemi)
6.1.1企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.1.3企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品
6.2Qorvo,Inc.
6.2.1企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.2.3主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用
6.3MACOMTechnologySolutionsHoldings,Inc.
6.3.1企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.3.3企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動態(tài)
6.4雷神(RaytheonCompany)
6.4.1企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.4.3企業(yè)GaN技術(shù)研究進(jìn)展
6.5恩智浦(NXPSemiconductorsN.V.)
6.5.1企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.5.3企業(yè)GaN技術(shù)研究進(jìn)展
6.6英飛凌(InfineonTechnologiesAG)
6.6.1企業(yè)發(fā)展概況
6.6.2企業(yè)經(jīng)營狀況
6.6.3企業(yè)業(yè)務(wù)部門布局
 
第七章2015-2017年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1蘇州納維科技有限公司
7.1.1企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2企業(yè)經(jīng)營狀況
(一)企業(yè)償債能力分析
(二)企業(yè)運營能力分析
(三)企業(yè)盈利能力分析
7.1.3企業(yè)主營業(yè)務(wù)
7.2蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
7.2.1企業(yè)發(fā)展概況
(一)企業(yè)償債能力分析
(二)企業(yè)運營能力分析
(三)企業(yè)盈利能力分析
7.2.2企業(yè)制造能力
7.2.3企業(yè)項目進(jìn)展
7.3東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
7.3.1企業(yè)發(fā)展概況
(一)企業(yè)償債能力分析
(二)企業(yè)運營能力分析
(三)企業(yè)盈利能力分析
7.3.2企業(yè)人才隊伍
7.3.3企業(yè)資質(zhì)和榮譽(yù)
7.3.4主營業(yè)務(wù)與專利技術(shù)
7.3.5企業(yè)發(fā)展與規(guī)劃
7.4三安光電股份有限公司
7.4.1企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2企業(yè)經(jīng)營狀況
(一)企業(yè)償債能力分析
(二)企業(yè)運營能力分析
(三)企業(yè)盈利能力分析
7.4.3氮化鎵半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
7.4.4未來前景展望
7.5廈門乾照光電股份有限公司
7.5.1企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2企業(yè)經(jīng)營狀況
(一)企業(yè)償債能力分析
(二)企業(yè)運營能力分析
(三)企業(yè)盈利能力分析
7.5.3GanLED芯片業(yè)務(wù)
7.5.4未來前景展望
 
第八章2018-2024年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
8.1氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析(ZY LII)
8.1.1產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會
8.1.2企業(yè)投資動態(tài)
8.2氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.1市場發(fā)展機(jī)遇
8.2.2未來競爭空間
8.2.3市場發(fā)展?jié)摿?/font>
8.32018-2024年氮化鎵市場預(yù)測分析
8.3.1影響因素分析
8.3.2市場規(guī)模預(yù)測(ZY LII)
 
部分圖表目錄:
圖表 1GaN纖鋅礦結(jié)構(gòu)圖
圖表 2水平式HVPE
圖表 3豎直式HVPE
圖表 42008-2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布(單位:%)
圖表 52015-2017年Q2世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分季度營收規(guī)模及增長
圖表 62014-2017年中國半導(dǎo)體消費占全球比重(單位:%)
圖表 72014-2017年中國&全球半導(dǎo)體增速對比(單位:%)
圖表 8半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展受需求推動
圖表 92018-2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額預(yù)測(單位:億美元,%)
圖表 10半導(dǎo)體產(chǎn)能全 面轉(zhuǎn)移,材料需求更趨核心與高技術(shù)
圖表 11國家集成電路基金投資的部分項目
圖表 12氮化鎵(GaN)主要應(yīng)用的預(yù)期潛在市場
圖表 13氮化鎵材料相關(guān)專利年度變化趨勢
圖表 14GaN專利器件布局情況
圖表 15氮化鎵領(lǐng)域Top15專利權(quán)人
圖表 16日本主要機(jī)構(gòu)合作情況
圖表 17中國GaN專利強(qiáng)度分布情況
圖表 18LED產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 192006-2016年中國LED行業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模(億元)
圖表 202016年中國半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表 21全球LED燈泡價格變動趨勢
圖表 222017年我國LED產(chǎn)品進(jìn)出口
圖表 23GaNFETSOA曲線示例,此時Rds-On=毫歐
圖表 24電感硬開關(guān)測試電路
圖表 25第二代及第四代氮化鎵器件的阻抗的比較。
圖表 26第二代及第四代氮化鎵器件的硬開關(guān)FOM并與硅功率MOSFET的比較。
圖表 27氮化鎵器件的散熱效率。
圖表 28氮化鎵器件可以提高DC/DC轉(zhuǎn)換效率。
圖表 29eGaNFET在更高壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器可以提高效率。
圖表 30工作在4MHz頻率的單片式半橋IC比分立式器件的性能更為優(yōu)越。
更多圖表 見正文……

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