2025-2031年中國第三代半導體市場研究與前景趨勢報告
- 【報告名稱】2025-2031年中國第三代半導體市場研究與前景趨勢報告
- 【關(guān) 鍵 字】第三代半導體 第三代半導體市場分析
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第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表。
隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展，第三代半導體的需求規(guī)模保持高速增長。同時，中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響給國產(chǎn)第三代半導體材料帶來了發(fā)展良機。2024年在國內(nèi)大半導體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)逆勢增長。2024年，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達到58億元，同比增長29.6%。GaN微波射頻產(chǎn)值達到69億元，同比增長13.5%。2020-2024年，中國第三代半導體專利申請數(shù)量處于領(lǐng)先地位；截至2024年12月16日，我國第三代半導體專利申請數(shù)量為1582件。
區(qū)域方面，我國第三代半導體初步形成了京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點發(fā)展區(qū)域。從代表性企業(yè)分布情況來看，江蘇省第三代半導體代表性企業(yè)分布最多，如蘇州納維、晶湛半導體、英諾賽科等。同時廣東、山東代表性企業(yè)也有較多代表性企業(yè)分布。從專利數(shù)量看，截至2024年12月16日，江蘇省為中國當前申請第三代半導體專利數(shù)量最多的省份，累計當前第三代半導體專利申請數(shù)量高達2860項。北京、山東、廣東、陜西和浙江當前申請第三代半導體專利數(shù)量均超過1000項。中國當前申請�。ㄊ�、自治區(qū)）第三代半導體專利數(shù)量排名前十的省份還有河南省、上海市、湖南省和安徽省。
2024年3月12日，《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2024年遠景目標綱要》全文正式發(fā)布。在事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領(lǐng)域，《綱要》提到制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程。其中，集成電路攻關(guān)方面，《綱要》重點強調(diào)推進集成電路設計工具、中電裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等礦禁帶半導體發(fā)展。2024年6月，《長三角G60科創(chuàng)走廊建設方案》提出在重點領(lǐng)域培育一批具有國際競爭力的龍頭企業(yè)，加快布局量子信息、類腦芯片、第三代半導體、基因編輯等一批未來企業(yè)。2024年1月4日，工業(yè)和信息化部、住房和城鄉(xiāng)建設部、交通運輸部、農(nóng)業(yè)農(nóng)村部和國家能源局聯(lián)合印發(fā)《智能光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2025-2031年）》。計劃特別指出要開發(fā)基于寬禁帶材料及功率器件、芯片的逆變器。
我國第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進展，但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國第三代半導體市場研究與前景趨勢報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業(yè)的總體概況及全球行業(yè)發(fā)展形勢，接著分析了中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場總體發(fā)展狀況以及全國重要區(qū)域發(fā)展狀況。然后分別對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)行業(yè)、行業(yè)重點企業(yè)的經(jīng)營狀況及行業(yè)項目案例投資進行了詳盡的透析。最后，報告對第三代半導體行業(yè)進行了投資分析并對行業(yè)未來發(fā)展前景進行了科學的預測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、商務部、工信部、中國海關(guān)總署、半導體行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實、豐富，同時通過專業(yè)的分析預測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資第三代半導體產(chǎn)業(yè)，本報告將是您不可或缺的重要參考工具。
報告目錄：
第一章 第三代半導體相關(guān)概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2 第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1 材料發(fā)展歷程
1.2.2 產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點
1.3.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2 產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3 產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4 產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章 2020-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1 2020-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1 標準制定情況
2.1.2 國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4 SiC創(chuàng)新進展
2.1.5 GaN創(chuàng)新進展
2.1.6 企業(yè)競爭格局
2.1.7 企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8 企業(yè)合作動態(tài)
2.2 美國
2.2.1 經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2 產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3 技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4 項目研發(fā)情況
2.2.5 項目建設動態(tài)
2.2.6 戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2 封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3 產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4 技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5 企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6 國際合作動態(tài)
2.4 歐盟
2.4.1 項目研發(fā)情況
2.4.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3 前沿企業(yè)格局
2.4.4 未來發(fā)展熱點
第三章 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境（Political）
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 行業(yè)標準現(xiàn)行情況
3.1.4 中美貿(mào)易摩擦影響
3.2 經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1 宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2 工業(yè)經(jīng)濟運行
3.2.3 投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4 宏觀經(jīng)濟展望
3.3 社會環(huán)境（Social）
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4 技術(shù)人才儲備
3.4 技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1 專利申請狀況
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 制造技術(shù)成熟
3.4.4 產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1 數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2 背光市場空間逐步擴大
4.1.3 襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4 各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5 產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2 產(chǎn)能項目規(guī)模
4.2.3 產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.4 國產(chǎn)替代狀況
4.2.5 行業(yè)發(fā)展空間
4.3 2020-2024年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1 市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2 細分市場規(guī)模
4.3.3 市場應用分布
4.3.4 企業(yè)競爭格局
4.3.5 產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4 2020-2024年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1 上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4 上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4 材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2 建設發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3 加強企業(yè)培育
4.6.4 集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發(fā)展思路
第五章 2020-2024年第三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1 GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2 GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術(shù)專利情況
5.1.6 技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2 GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1 市場供給情況
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 材料技術(shù)水平
5.2.4 應用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5 應用市場預測
5.2.6 市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1 器件產(chǎn)品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產(chǎn)品
5.3.4 電力電子器件
5.3.5 光電子器件
5.4 GaN器件應用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 應用實現(xiàn)條件與對策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1 器件技術(shù)難題
5.5.2 電源技術(shù)瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2020-2024年第三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產(chǎn)品類型
6.1.4 單晶技術(shù)專利
6.1.5 技術(shù)發(fā)展路線
6.2 SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3 材料價格走勢
6.2.4 材料市場規(guī)模
6.2.5 材料技術(shù)水平
6.2.6 市場應用情況
6.2.7 企業(yè)競爭格局
6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產(chǎn)品
6.3.3 器件產(chǎn)品布局
6.3.4 產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4 SiC器件應用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1 應用整體技術(shù)路線
6.4.2 電網(wǎng)應用技術(shù)路線
6.4.3 電力牽引應用技術(shù)路線
6.4.4 電動汽車應用技術(shù)路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2020-2024年第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析
7.1�、笞宓锇雽w材料發(fā)展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產(chǎn)品
7.1.5 應用發(fā)展狀況
7.1.6 發(fā)展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2 材料應用優(yōu)勢
7.3.3 材料國外進展
7.3.4 國內(nèi)研究成果
7.3.5 器件應用發(fā)展
7.3.6 未來發(fā)展前景
7.4 金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2 材料研究背景
7.4.3 材料發(fā)展特點
7.4.4 主要器件產(chǎn)品
7.4.5 應用發(fā)展狀況
7.4.6 國產(chǎn)替代機遇
7.4.7 材料發(fā)展難點
第八章 2020-2024年第三代半導體下游應用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1 第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1 下游應用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2 下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3 下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2 2020-2024年電子電力領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.2.1 全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2 國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3 國內(nèi)器件應用分布
8.2.4 國內(nèi)應用市場規(guī)模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產(chǎn)品價格走勢
8.3 2020-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.3.1 射頻器件市場規(guī)模
8.3.2 射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 國防基站應用規(guī)模
8.3.5 射頻器件發(fā)展趨勢
8.4 2020-2024年半導體照明領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.4.1 發(fā)展政策支持
8.4.2 行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3 產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4 應用市場分布
8.4.5 技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6 行業(yè)發(fā)展展望
8.5 2020-2024年半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1 市場規(guī)�，F(xiàn)狀
8.5.2 企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3 應用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4 主要技術(shù)分析
8.5.5 國產(chǎn)化趨勢
8.6 2020-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規(guī)模
8.6.3 基站需求規(guī)模
8.6.4 應用發(fā)展方向
8.6.5 產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7 2020-2024年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.7.1 行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2 主要應用場景
8.7.3 企業(yè)布局情況
8.7.4 市場應用空間
8.7.5 市場需求預測
第九章 2020-2024年第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2020-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1 產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2 區(qū)域建設回顧
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1 北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2 順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3 保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4 應用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3 中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1 成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2 重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3 西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1 廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2 廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3 深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4 東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5 華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1 江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3 山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4 廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6 第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3 開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2020-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3 經(jīng)營效益分析
10.1.4 業(yè)務經(jīng)營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 相關(guān)業(yè)務布局
10.2.3 經(jīng)營效益分析
10.2.4 業(yè)務經(jīng)營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8 未來前景展望
10.3 廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 經(jīng)營效益分析
10.3.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.3.4 財務狀況分析
10.3.5 核心競爭力分析
10.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 經(jīng)營效益分析
10.4.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7 未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 經(jīng)營效益分析
10.5.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 經(jīng)營效益分析
10.6.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.6.4 財務狀況分析
10.6.5 核心競爭力分析
10.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2 經(jīng)營效益分析
10.7.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.7.4 財務狀況分析
10.7.5 核心競爭力分析
10.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7 未來前景展望
第十一章 第三代半導體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1 行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2 投資市場周期
11.1.3 行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內(nèi)投資項目
11.2.3 國際企業(yè)并購
11.2.4 國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5 企業(yè)融資動態(tài)
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1 技術(shù)壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿(mào)易壁壘
11.4 行業(yè)投資風險
11.4.1 企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2 技術(shù)迭代風險
11.4.3 行業(yè)競爭風險
11.4.4 產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3 關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 項目建設必要性
11.6.3 項目建設可行性
11.6.4 項目資金概算
11.6.5 項目經(jīng)濟效益
第十二章 2025-2031年第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1 產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2 未來發(fā)展趨勢
12.1.3 應用領(lǐng)域趨勢
12.2 第三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1 重要發(fā)展窗口期
12.2.2 產(chǎn)業(yè)應用前景
12.2.3 產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4 產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5 產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3 2025-2031年中國第三代半導體行業(yè)預測分析
12.3.1 2025-2031年中國第三代半導體行業(yè)影響因素分析
12.3.2 2025-2031年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預測
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進中關(guān)村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施
圖表目錄
圖表1 第三代半導體特點
圖表2 第三代半導體主要材料
圖表3 不同半導體材料性能比較（一）
圖表4 不同半導體材料性能比較（二）
圖表5 碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6 半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7 半導體材料頻率和功率特性對比
圖表8 第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11 第三代半導體襯底制備流程
圖表12 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13 第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14 國際電工委員會（IEC）第三代半導體標準
圖表15 固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會（JEDEC）第三代半導體標準
圖表16 國際部分汽車電子標準
圖表17 2020-2024年RFGaNHEMT和SiLDMOS平均價格
圖表18 2020-2024年國外SiC技術(shù)進展
圖表19 國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiCSBD的器件性能
圖表20 2024年國際企業(yè)新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品
圖表21 國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22 2024年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23 國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24 國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25 2024年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26 國際主要三代半上市企業(yè)最新業(yè)績
圖表27 2024年第三代半導體國際相關(guān)企業(yè)動向
圖表28 2024年國際部分企業(yè)第三代半導體相關(guān)擴產(chǎn)項目
圖表29 2024年主要第三代半導體企業(yè)合作動態(tài)
圖表30 美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31 美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32 2024年美國設立的部分第三代半導體相關(guān)研發(fā)項目
隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展，第三代半導體的需求規(guī)模保持高速增長。同時，中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響給國產(chǎn)第三代半導體材料帶來了發(fā)展良機。2024年在國內(nèi)大半導體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)逆勢增長。2024年，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達到58億元，同比增長29.6%。GaN微波射頻產(chǎn)值達到69億元，同比增長13.5%。2020-2024年，中國第三代半導體專利申請數(shù)量處于領(lǐng)先地位；截至2024年12月16日，我國第三代半導體專利申請數(shù)量為1582件。
區(qū)域方面，我國第三代半導體初步形成了京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點發(fā)展區(qū)域。從代表性企業(yè)分布情況來看，江蘇省第三代半導體代表性企業(yè)分布最多，如蘇州納維、晶湛半導體、英諾賽科等。同時廣東、山東代表性企業(yè)也有較多代表性企業(yè)分布。從專利數(shù)量看，截至2024年12月16日，江蘇省為中國當前申請第三代半導體專利數(shù)量最多的省份，累計當前第三代半導體專利申請數(shù)量高達2860項。北京、山東、廣東、陜西和浙江當前申請第三代半導體專利數(shù)量均超過1000項。中國當前申請�。ㄊ�、自治區(qū)）第三代半導體專利數(shù)量排名前十的省份還有河南省、上海市、湖南省和安徽省。
2024年3月12日，《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2024年遠景目標綱要》全文正式發(fā)布。在事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領(lǐng)域，《綱要》提到制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程。其中，集成電路攻關(guān)方面，《綱要》重點強調(diào)推進集成電路設計工具、中電裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等礦禁帶半導體發(fā)展。2024年6月，《長三角G60科創(chuàng)走廊建設方案》提出在重點領(lǐng)域培育一批具有國際競爭力的龍頭企業(yè)，加快布局量子信息、類腦芯片、第三代半導體、基因編輯等一批未來企業(yè)。2024年1月4日，工業(yè)和信息化部、住房和城鄉(xiāng)建設部、交通運輸部、農(nóng)業(yè)農(nóng)村部和國家能源局聯(lián)合印發(fā)《智能光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2025-2031年）》。計劃特別指出要開發(fā)基于寬禁帶材料及功率器件、芯片的逆變器。
我國第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進展，但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。
產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國第三代半導體市場研究與前景趨勢報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業(yè)的總體概況及全球行業(yè)發(fā)展形勢，接著分析了中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場總體發(fā)展狀況以及全國重要區(qū)域發(fā)展狀況。然后分別對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)行業(yè)、行業(yè)重點企業(yè)的經(jīng)營狀況及行業(yè)項目案例投資進行了詳盡的透析。最后，報告對第三代半導體行業(yè)進行了投資分析并對行業(yè)未來發(fā)展前景進行了科學的預測。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計局、商務部、工信部、中國海關(guān)總署、半導體行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報告網(wǎng)市場調(diào)查中心以及國內(nèi)外重點刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實、豐富，同時通過專業(yè)的分析預測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)深入的了解、或者想投資第三代半導體產(chǎn)業(yè)，本報告將是您不可或缺的重要參考工具。
報告目錄：
第一章 第三代半導體相關(guān)概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2 第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1 材料發(fā)展歷程
1.2.2 產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點
1.3.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2 產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3 產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4 產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章 2020-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1 2020-2024年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1 標準制定情況
2.1.2 國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3 市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4 SiC創(chuàng)新進展
2.1.5 GaN創(chuàng)新進展
2.1.6 企業(yè)競爭格局
2.1.7 企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8 企業(yè)合作動態(tài)
2.2 美國
2.2.1 經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2 產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3 技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4 項目研發(fā)情況
2.2.5 項目建設動態(tài)
2.2.6 戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2 封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3 產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4 技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5 企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6 國際合作動態(tài)
2.4 歐盟
2.4.1 項目研發(fā)情況
2.4.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3 前沿企業(yè)格局
2.4.4 未來發(fā)展熱點
第三章 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境（Political）
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 行業(yè)標準現(xiàn)行情況
3.1.4 中美貿(mào)易摩擦影響
3.2 經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1 宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2 工業(yè)經(jīng)濟運行
3.2.3 投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4 宏觀經(jīng)濟展望
3.3 社會環(huán)境（Social）
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4 技術(shù)人才儲備
3.4 技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1 專利申請狀況
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 制造技術(shù)成熟
3.4.4 產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1 數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2 背光市場空間逐步擴大
4.1.3 襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4 各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5 產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2 2020-2024年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2 產(chǎn)能項目規(guī)模
4.2.3 產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.4 國產(chǎn)替代狀況
4.2.5 行業(yè)發(fā)展空間
4.3 2020-2024年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1 市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2 細分市場規(guī)模
4.3.3 市場應用分布
4.3.4 企業(yè)競爭格局
4.3.5 產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4 2020-2024年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1 上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4 上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4 材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2 建設發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3 加強企業(yè)培育
4.6.4 集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發(fā)展思路
第五章 2020-2024年第三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1 GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2 GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術(shù)專利情況
5.1.6 技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2 GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1 市場供給情況
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 材料技術(shù)水平
5.2.4 應用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5 應用市場預測
5.2.6 市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1 器件產(chǎn)品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產(chǎn)品
5.3.4 電力電子器件
5.3.5 光電子器件
5.4 GaN器件應用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 應用實現(xiàn)條件與對策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1 器件技術(shù)難題
5.5.2 電源技術(shù)瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2020-2024年第三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產(chǎn)品類型
6.1.4 單晶技術(shù)專利
6.1.5 技術(shù)發(fā)展路線
6.2 SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3 材料價格走勢
6.2.4 材料市場規(guī)模
6.2.5 材料技術(shù)水平
6.2.6 市場應用情況
6.2.7 企業(yè)競爭格局
6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產(chǎn)品
6.3.3 器件產(chǎn)品布局
6.3.4 產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4 SiC器件應用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1 應用整體技術(shù)路線
6.4.2 電網(wǎng)應用技術(shù)路線
6.4.3 電力牽引應用技術(shù)路線
6.4.4 電動汽車應用技術(shù)路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2020-2024年第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析
7.1�、笞宓锇雽w材料發(fā)展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產(chǎn)品
7.1.5 應用發(fā)展狀況
7.1.6 發(fā)展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2 材料應用優(yōu)勢
7.3.3 材料國外進展
7.3.4 國內(nèi)研究成果
7.3.5 器件應用發(fā)展
7.3.6 未來發(fā)展前景
7.4 金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2 材料研究背景
7.4.3 材料發(fā)展特點
7.4.4 主要器件產(chǎn)品
7.4.5 應用發(fā)展狀況
7.4.6 國產(chǎn)替代機遇
7.4.7 材料發(fā)展難點
第八章 2020-2024年第三代半導體下游應用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1 第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1 下游應用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2 下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3 下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2 2020-2024年電子電力領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.2.1 全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2 國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3 國內(nèi)器件應用分布
8.2.4 國內(nèi)應用市場規(guī)模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產(chǎn)品價格走勢
8.3 2020-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.3.1 射頻器件市場規(guī)模
8.3.2 射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 國防基站應用規(guī)模
8.3.5 射頻器件發(fā)展趨勢
8.4 2020-2024年半導體照明領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.4.1 發(fā)展政策支持
8.4.2 行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3 產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4 應用市場分布
8.4.5 技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6 行業(yè)發(fā)展展望
8.5 2020-2024年半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1 市場規(guī)�，F(xiàn)狀
8.5.2 企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3 應用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4 主要技術(shù)分析
8.5.5 國產(chǎn)化趨勢
8.6 2020-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規(guī)模
8.6.3 基站需求規(guī)模
8.6.4 應用發(fā)展方向
8.6.5 產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7 2020-2024年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.7.1 行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2 主要應用場景
8.7.3 企業(yè)布局情況
8.7.4 市場應用空間
8.7.5 市場需求預測
第九章 2020-2024年第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2020-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1 產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2 區(qū)域建設回顧
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1 北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2 順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3 保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4 應用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3 中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1 成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2 重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3 西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1 廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2 廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3 深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4 東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5 華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1 江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3 山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4 廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6 第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3 開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2020-2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3 經(jīng)營效益分析
10.1.4 業(yè)務經(jīng)營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 相關(guān)業(yè)務布局
10.2.3 經(jīng)營效益分析
10.2.4 業(yè)務經(jīng)營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8 未來前景展望
10.3 廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 經(jīng)營效益分析
10.3.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.3.4 財務狀況分析
10.3.5 核心競爭力分析
10.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 經(jīng)營效益分析
10.4.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7 未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 經(jīng)營效益分析
10.5.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 經(jīng)營效益分析
10.6.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.6.4 財務狀況分析
10.6.5 核心競爭力分析
10.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2 經(jīng)營效益分析
10.7.3 業(yè)務經(jīng)營分析
10.7.4 財務狀況分析
10.7.5 核心競爭力分析
10.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7 未來前景展望
第十一章 第三代半導體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1 行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2 投資市場周期
11.1.3 行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內(nèi)投資項目
11.2.3 國際企業(yè)并購
11.2.4 國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5 企業(yè)融資動態(tài)
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1 技術(shù)壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿(mào)易壁壘
11.4 行業(yè)投資風險
11.4.1 企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2 技術(shù)迭代風險
11.4.3 行業(yè)競爭風險
11.4.4 產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3 關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 項目建設必要性
11.6.3 項目建設可行性
11.6.4 項目資金概算
11.6.5 項目經(jīng)濟效益
第十二章 2025-2031年第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1 產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2 未來發(fā)展趨勢
12.1.3 應用領(lǐng)域趨勢
12.2 第三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1 重要發(fā)展窗口期
12.2.2 產(chǎn)業(yè)應用前景
12.2.3 產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4 產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5 產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3 2025-2031年中國第三代半導體行業(yè)預測分析
12.3.1 2025-2031年中國第三代半導體行業(yè)影響因素分析
12.3.2 2025-2031年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預測
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進中關(guān)村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施
圖表目錄
圖表1 第三代半導體特點
圖表2 第三代半導體主要材料
圖表3 不同半導體材料性能比較（一）
圖表4 不同半導體材料性能比較（二）
圖表5 碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6 半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7 半導體材料頻率和功率特性對比
圖表8 第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11 第三代半導體襯底制備流程
圖表12 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13 第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14 國際電工委員會（IEC）第三代半導體標準
圖表15 固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會（JEDEC）第三代半導體標準
圖表16 國際部分汽車電子標準
圖表17 2020-2024年RFGaNHEMT和SiLDMOS平均價格
圖表18 2020-2024年國外SiC技術(shù)進展
圖表19 國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiCSBD的器件性能
圖表20 2024年國際企業(yè)新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品
圖表21 國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22 2024年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23 國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24 國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25 2024年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26 國際主要三代半上市企業(yè)最新業(yè)績
圖表27 2024年第三代半導體國際相關(guān)企業(yè)動向
圖表28 2024年國際部分企業(yè)第三代半導體相關(guān)擴產(chǎn)項目
圖表29 2024年主要第三代半導體企業(yè)合作動態(tài)
圖表30 美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31 美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32 2024年美國設立的部分第三代半導體相關(guān)研發(fā)項目
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