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2025-2031年中國(guó)氮化鎵（GaN）行業(yè)深度研究與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告

字體大�。�大中小2024-11-28 中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng) http://sjzruhua.cn

【報(bào)告名稱】2025-2031年中國(guó)氮化鎵（GaN）行業(yè)深度研究與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告
【關(guān) 鍵字】氮化鎵（GaN）氮化鎵（GaN）市場(chǎng)分析
【價(jià)　　格】紙介版：9800元電子版：9800元紙介+電子：10000元
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氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體。與前兩半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無(wú)線基站到射頻能量等商業(yè)射頻領(lǐng)域的主流應(yīng)用，它從一項(xiàng)高深的技術(shù)發(fā)展為市場(chǎng)的中流砥柱，這一發(fā)展歷程融合了多種因素，是其一致發(fā)揮作用的結(jié)果。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消，最近，其憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和LDMOS的最具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的材料。中國(guó)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)較小，但增長(zhǎng)迅速。2024年中國(guó)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模0.11億元，2024年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1.88億元。

GaN材料禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子遷移速率高，在應(yīng)用上可以做到高擊穿電壓、耐高溫、低導(dǎo)通損耗、高輸出功率以及低成本，在電力電子、微波通信、光伏逆變、照明等應(yīng)用領(lǐng)域具有另外2代材料無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，具有重大的戰(zhàn)略意義，相信在不久的將來(lái)GaN作為第3代半導(dǎo)體材料中優(yōu)秀代表會(huì)得到更廣泛的應(yīng)用。

產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國(guó)氮化鎵（GaN）行業(yè)深度研究與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等，接著分析了半導(dǎo)體材料和氮化鎵產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展?fàn)顩r。然后報(bào)告從企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、市場(chǎng)主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域、國(guó)內(nèi)外企業(yè)等方面對(duì)氮化鎵行業(yè)進(jìn)行了系統(tǒng)解析，最后報(bào)告對(duì)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的投資潛力及發(fā)展前景進(jìn)行了科學(xué)的預(yù)測(cè)。

本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來(lái)自于國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家海關(guān)總署、商務(wù)部、財(cái)政部、工信部、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場(chǎng)調(diào)查中心以及國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過(guò)專業(yè)的分析預(yù)測(cè)模型，對(duì)行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測(cè)。您或貴單位若想對(duì)氮化鎵產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資該行業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。

報(bào)告目錄：

第一章　氮化鎵相關(guān)概述

1.1　氮化鎵基本介紹

1.1.1　氮化鎵基本概念

1.1.2　氮化鎵形成階段

1.1.3　氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

1.1.4　氮化鎵半導(dǎo)體作用

1.2　氮化鎵材料的特性

1.2.1　結(jié)構(gòu)特性

1.2.2　化學(xué)特性

1.2.3　光學(xué)特性

1.2.4　電學(xué)性質(zhì)

1.2.5　磁學(xué)特性

1.3　氮化鎵的制備方法

1.3.1　金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)

1.3.2　分子束外延（MBE）技術(shù)

1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)

1.3.4　懸空外延技術(shù)（Pendeo-epitaxy）

第二章　2020-2024年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述

2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述

2.1.1　第一代半導(dǎo)體材料

2.1.2　第二代半導(dǎo)體材料

2.1.3　第三代半導(dǎo)體材料

2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用

2.2　2020-2024年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r

2.2.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模

2.2.2　區(qū)域分布狀況

2.2.3　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

2.2.4　市場(chǎng)并購(gòu)動(dòng)態(tài)

2.2.5　市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)

2.3　2020-2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況

2.3.1　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析

2.3.2　產(chǎn)業(yè)支持政策

2.3.3　市場(chǎng)銷售規(guī)模

2.3.4　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

2.3.5　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)

2.3.6　國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程

2.4　中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問(wèn)題及發(fā)展對(duì)策

2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后

2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問(wèn)題

2.4.3　供應(yīng)鏈不完善

2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議

2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路

2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望

2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

2.5.2　行業(yè)需求分析

2.5.3　行業(yè)前景分析

第三章　2020-2024年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析

3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策

3.1.4　國(guó)產(chǎn)化將加速

3.2　2020-2024年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

3.2.1　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

3.2.2　氮化鎵市場(chǎng)需求狀況

3.2.3　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)值規(guī)模

3.2.4　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)能分析

3.2.5　氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析

3.2.6　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸

3.3　氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)狀況

3.3.1　全球氮化鎵技術(shù)來(lái)源國(guó)分布

3.3.2　全球氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)量

3.3.3　全球氮化鎵專利申請(qǐng)人分布

3.3.4　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)區(qū)域分布

第四章　2020-2024年氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況分析

4.1　2020-2024年全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析

4.1.1　全球氮化鎵市場(chǎng)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)

4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場(chǎng)份額

4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況

4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)上市動(dòng)態(tài)

4.1.6　全球氮化鎵企業(yè)中國(guó)布局

4.2　2020-2024年中國(guó)氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析

4.2.1　國(guó)內(nèi)氮化鎵競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)

4.2.2　國(guó)內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)

4.2.3　國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)產(chǎn)線

4.2.4　國(guó)內(nèi)氮化鎵廠商布局

4.3　快充市場(chǎng)氮化鎵主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布

4.3.1　氮化鎵芯片上游

4.3.2　氮化鎵制造工廠

4.3.3　氮化鎵品牌廠商

4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布

4.4.1　GaN電力電子器件

4.4.2　GaN光電子器件

第五章　2020-2024年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析

5.1　發(fā)光二極管（LED）

5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述

5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

5.1.3　發(fā)光二極管（LED）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析

5.1.4　氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程

5.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破

5.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）

5.2.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述

5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析

5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況

5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展

5.3　激光二極管（LD）

5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述

5.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)

5.3.3　激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析

5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析

5.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析

5.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況

5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望

5.4　二極管（Diodes）

5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述

5.4.2　二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析

5.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

5.5　射頻器件（RF）

5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述

5.5.2　GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析

5.5.4　GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域

5.6　太陽(yáng)能電池（Solar Cells）

5.6.1　2020-2024年中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析

5.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述

5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素

5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝

5.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望

第六章　2020-2024年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析

6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義

6.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)

6.1.3　GaN電力電子器件分布情況

6.1.4　GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)

6.1.5　GaN組件商品化帶來(lái)的機(jī)遇

6.1.6　電力電子器件市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展方向

6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

6.2.1　新能源行業(yè)相關(guān)政策支持

6.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)

6.2.3　新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況

6.2.4　GaN大功率器件需求潛力

6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

6.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義

6.3.2　智能電力設(shè)備發(fā)展分析

6.3.3　智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)

6.3.4　GaN大功率器件需求潛力

6.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

6.4.1　通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析

6.4.2　通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析

6.4.3　GaN大功率器件需求潛力

6.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析

6.5.1　GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

6.5.2　GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用

6.5.3　GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

6.5.4　GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

6.5.5　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用

6.5.6　GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

第七章　2020-2024年國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.

7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

7.1.2　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)

7.1.3　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1.4　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1.5　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2　科沃（Qorvo, Inc.）

7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)

7.2.3　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2.4　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2.5　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）

7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

7.3.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)

7.3.3　2024年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.3.4　2024年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.3.5　2024年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）

7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布

7.4.3　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)

7.4.4　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.4.5　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.4.6　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）

7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

7.5.2　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)

7.5.3　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.5.4　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.5.5　2024財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

第八章　2020-2024年中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

8.1　蘇州納維科技有限公司

8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.1.2　企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)

8.1.3　企業(yè)發(fā)展成就

8.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司

8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就

8.2.3　企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展

8.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司

8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.3.2　企業(yè)人才隊(duì)伍

8.3.3　企業(yè)獲得榮譽(yù)

8.3.4　公司專利技術(shù)

8.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃

8.4　三安光電股份有限公司

8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析

8.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析

8.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析

8.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

8.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

8.4.7　未來(lái)前景展望

8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司

8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析

8.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析

8.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析

8.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

8.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

8.5.7　未來(lái)前景展望

8.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司

8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況

8.6.2　經(jīng)營(yíng)效益分析

8.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析

8.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析

8.6.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

8.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

8.6.7　未來(lái)前景展望

第九章　2025-2031年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)

9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析

9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)

9.1.2　企業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)

9.1.3　投資擴(kuò)產(chǎn)狀況

9.1.4　區(qū)域投資分布

9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望

9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

9.2.2　市場(chǎng)應(yīng)用潛力

9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇

9.3　對(duì)2025-2031年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析

9.3.1　2025-2031年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)影響因素分析

9.3.2　2025-2031年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測(cè)

9.3.3　2025-2031年中國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測(cè)

9.3.4　2025-2031年中國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測(cè)

圖表目錄

圖表　半導(dǎo)體發(fā)展歷程

圖表　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較

圖表　半導(dǎo)體材料性能比較

圖表　砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用

圖表　纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性

圖表　三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)

圖表　半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用

圖表　2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模及情況

圖表　2024年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場(chǎng)變化

圖表　2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)區(qū)域分布預(yù)測(cè)情況

圖表　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)

圖表　2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模

圖表　2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

圖表　2024年國(guó)內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國(guó)產(chǎn)化率

圖表　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)

圖表　GaN外延用不同襯底的對(duì)比

圖表　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)

圖表　GaN器件發(fā)展史

圖表　氮化鎵行業(yè)政策發(fā)展歷程

圖表　國(guó)家層面氮化鎵行業(yè)政策匯總

圖表　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（一）

圖表　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（二）

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