2014年我國(guó)分立器件發(fā)展方向分析

中國(guó)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)訊：

    統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2009-2013年，中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額逐年上漲，2013年均為最大值，但是增速呈現(xiàn)波動(dòng)趨勢(shì)。2010年，2013年，中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額為1135.40億元，同比增長(zhǎng)28.50%，增速為近年來(lái)的最大值。2013年，中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額為1642.50億元，同比增長(zhǎng)18.17%，增長(zhǎng)速度有所加快。 

    半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間。半導(dǎo)體分立器件通�？偸茄刂�功率、頻率兩個(gè)方向發(fā)展，發(fā)展新的器件理論、新的結(jié)構(gòu)，出現(xiàn)各種新型分立器件，促進(jìn)電子信息技術(shù)的迅猛發(fā)展。 

    一是發(fā)展電子信息產(chǎn)品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變?nèi)莨芗靶ぬ鼗�二極管等。隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展，先后出現(xiàn)了從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、功率MOSFET等自關(guān)斷、全控型器件。近年來(lái)，電力電子器件正朝著大功率、高壓、高頻化、集成化、智能化、復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展，如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物。 

    內(nèi)容選自產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2014-2020年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)分析與投資前景研究報(bào)告》 

    二是發(fā)展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的新型器件。 

    三是跟蹤世界半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)，加強(qiáng)對(duì)納米器件、超導(dǎo)器件等領(lǐng)域的研究。 

    四是分立器件封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)仍以片式器件為發(fā)展方向，以適應(yīng)各種電子設(shè)備小型化、輕量化、薄型化的需要。封裝形式的發(fā)展，一是往小型化方向發(fā)展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封裝型式發(fā)展；二是片式小型化往功率器件方向延伸，從1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封裝，如TO-247、TO-3P等；三是另一類則望更大尺寸、更大體積以滿足各類更大功率的新型電力電子封裝，如全壓接式大功率IGBT及各類模塊封裝等。