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應(yīng)用材料介紹TSV刻蝕系統(tǒng)和fab內(nèi)掩膜版檢測系統(tǒng)能力

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    前,美國應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.,Santa Clara, Calif.)宣布推出針對穿透硅通孔(through-silicon via,TSV)應(yīng)用的刻蝕系統(tǒng)Centura Silvia。同時,應(yīng)用材料表示,正在發(fā)貨掩膜檢測系統(tǒng)Aera2,該系統(tǒng)可使掩膜的常規(guī)檢測在晶圓廠內(nèi)實施,而不用由掩膜供應(yīng)商來完成。

    應(yīng)用材料介紹說,Centura Silvia系統(tǒng)可刻蝕平滑的垂直通孔邊墻,滿足隨后的高質(zhì)量線和填充薄膜沉積的苛刻要求。該系統(tǒng)可在同一腔體內(nèi)刻蝕硅和氧化物。應(yīng)用材料刻蝕和清洗部門總經(jīng)理Ellie Yieh表示,TSV 3-D互連中多重通孔的刻蝕步驟占據(jù)了大部分的成本。

    “Silvia系統(tǒng)專為解決傳統(tǒng)刻蝕速率與形貌表現(xiàn)的平衡問題而設(shè)計,同時將極大地降低用戶擁有成本,”Yieh表示。Silvia系統(tǒng)采用應(yīng)用材料公司專利的時分多工氣體模塊(TMGM)工藝,并建立在公司多年的深槽硅刻蝕技術(shù)經(jīng)驗基礎(chǔ)上,相應(yīng)的系統(tǒng)已安裝超過200套。”

    應(yīng)用材料表示,Silvia系統(tǒng)支持先通孔(via-first)和后通孔(via-last)方法。對于先通孔工藝,刻蝕設(shè)備
提供了高的光刻膠選擇比,來制作側(cè)墻平滑的小的深孔。對于封裝廠和半導(dǎo)體IDM廠商選擇的后通孔工藝,用戶擁有成本至關(guān)重要,Silvia系統(tǒng)通過采用低成本 的消耗品來縮減整體成本。

    光刻檢測設(shè)備Aera2
  
    隨著雙重圖形進(jìn)入量產(chǎn)階段,晶圓廠必須確保多次曝光和霧狀缺陷累積后掩膜版CD尺寸的一致性(CDU)。應(yīng)用材料表示,通過在fab的光刻區(qū)采用Aera2系統(tǒng)的IntenCD虛像檢測技術(shù),制造商能將CDU提高20%,提升器件成品率并降低每個晶圓成像成本。

    應(yīng)用材料硅系統(tǒng)集團(tuán)高級副總Tom St. Dennis介紹說,“45nm及更高節(jié)點時CD一致性要求極高,尤其是雙重圖形技術(shù)中,CD變化至少有一半來自于掩膜版。”

    IntenCD技術(shù)在整個光罩區(qū)的虛像中產(chǎn)生CDU的map圖,較小的掩模缺陷會導(dǎo)致其虛像在亮度上的細(xì)微局部變化。應(yīng)用材料聲稱,通過代替基于晶圓的測量方法,對掩膜版可用性的判斷從兩天縮減到一個小時。同時,改進(jìn)的一致性數(shù)據(jù)使得光刻掃描機能對CD變化進(jìn)行補償,提高了線寬精度。

    晶圓廠內(nèi)檢測能幫助fab經(jīng)理延長掩膜版壽命。“掩膜版屬性呈動態(tài)變化,并因多次曝光累計表現(xiàn)的不一致,包括霧狀缺陷成長和薄膜退化導(dǎo)致的CD錯誤。通過代替?zhèn)鹘y(tǒng)固定的根據(jù)預(yù)定時間表對掩膜版定期維護(hù)方法,fab經(jīng)理采用Aera2系統(tǒng)能將掩膜版維護(hù)周期最小化,并增加其壽命和有效性。”應(yīng)用材料公司表示。

   該檢測設(shè)備還可搭配應(yīng)用材料公司Tetra光罩清洗系統(tǒng)一起使用,而不必將掩膜版送出晶圓廠進(jìn)行清洗。