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Hynix發(fā)布首款54nm制程的2GB移動(dòng)DRAM

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    韓國(guó)半導(dǎo)體制造商Hynix(海力士)發(fā)布了目前世界第一款采用54nm工藝的2GB移動(dòng)DRAM。

    Hynix突破了目前采用MCP封裝以及PoP封裝的移動(dòng)DRAM只有最高1GB容量密度的限制,成功實(shí)現(xiàn)了2GB的容量密度。新產(chǎn)品工作在1.2V的電壓下,傳輸速度最高可達(dá)到400Mbps,而且通過(guò)32-bit的IO每秒可處理1.6Gigabytes的數(shù)據(jù),其功耗也比目前的少很多。

    據(jù)Hynix稱(chēng),該產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,將會(huì)在2009年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。