美光面向嵌入式應(yīng)用推出串行NAND閃存
美光公司NAND市場(chǎng)開(kāi)發(fā)總監(jiān)Kevin Kilbuck說(shuō),“美光的串行NAND技術(shù)能提供市場(chǎng)每數(shù)據(jù)位成本最低的串行接口閃存,F(xiàn)在有許多嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品需要128M甚至更大的存儲(chǔ)空間,我們預(yù)計(jì)容量需求還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng),這就需要在NOR閃存之外提供基于NAND技術(shù)的存儲(chǔ)解決方案。”
隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,他們需要功能更穩(wěn)健、密度更高的內(nèi)存解決方案。WiMAX設(shè)備、機(jī)頂盒、打印機(jī)以及其他工業(yè)和汽車應(yīng)用產(chǎn)品過(guò)去只用來(lái)進(jìn)行信息解碼,而這樣的時(shí)代已經(jīng)一去不復(fù)返了。現(xiàn)在,這些設(shè)備之中有更為尖端的操作系統(tǒng),用于管理多媒體、圖片和其他數(shù)據(jù)密集的內(nèi)容,因此也需要設(shè)備提供更大的存儲(chǔ)空間。
美光了解到這些應(yīng)用需求,充分利用其可靠的NAND技術(shù),為客戶提供一套密度更高、寫入性能更優(yōu)、擴(kuò)展性更好的存儲(chǔ)解決方案,使用戶無(wú)需從頭至尾重新設(shè)計(jì)系統(tǒng),就能擴(kuò)展其應(yīng)用產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。此外,美光的串行NAND技術(shù)采用與并行NAND相同的封裝類型,因此可作為一種過(guò)渡方法,幫助生產(chǎn)商在需要的時(shí)候從串行接口產(chǎn)品轉(zhuǎn)換到并行NAND接口產(chǎn)品。
美光串行NAND技術(shù)優(yōu)勢(shì)
兼容性:與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)命令集兼容。
最大限度增強(qiáng)功能:提供所需的密度,以最大限度提高系統(tǒng)功能,降低物料成本。用戶自建的內(nèi)容直接存儲(chǔ)到設(shè)備上,無(wú)需使用單獨(dú)的NAND芯片。
速度更快:美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s,寫入速度比NOR閃存(不到0.5MB/s)更快。
簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì):去掉了外部卡插槽,因此降低了物料成本;并利用芯片上的糾錯(cuò)碼(ECC)來(lái)解決出廠原始NAND閃存伴生的復(fù)雜問(wèn)題。
更安全:提供了只讀區(qū)和保護(hù)性的塊鎖,以避免設(shè)備上存儲(chǔ)的內(nèi)容遭到擅自更改。
產(chǎn)品上市情況
美光的1Gb串行NAND技術(shù)現(xiàn)已推出試用產(chǎn)品,預(yù)計(jì)于2009年一季度投入量產(chǎn)。美光公司還計(jì)劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產(chǎn)品,容量將可達(dá)到4Gb。
隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,他們需要功能更穩(wěn)健、密度更高的內(nèi)存解決方案。WiMAX設(shè)備、機(jī)頂盒、打印機(jī)以及其他工業(yè)和汽車應(yīng)用產(chǎn)品過(guò)去只用來(lái)進(jìn)行信息解碼,而這樣的時(shí)代已經(jīng)一去不復(fù)返了。現(xiàn)在,這些設(shè)備之中有更為尖端的操作系統(tǒng),用于管理多媒體、圖片和其他數(shù)據(jù)密集的內(nèi)容,因此也需要設(shè)備提供更大的存儲(chǔ)空間。
美光了解到這些應(yīng)用需求,充分利用其可靠的NAND技術(shù),為客戶提供一套密度更高、寫入性能更優(yōu)、擴(kuò)展性更好的存儲(chǔ)解決方案,使用戶無(wú)需從頭至尾重新設(shè)計(jì)系統(tǒng),就能擴(kuò)展其應(yīng)用產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。此外,美光的串行NAND技術(shù)采用與并行NAND相同的封裝類型,因此可作為一種過(guò)渡方法,幫助生產(chǎn)商在需要的時(shí)候從串行接口產(chǎn)品轉(zhuǎn)換到并行NAND接口產(chǎn)品。
美光串行NAND技術(shù)優(yōu)勢(shì)
兼容性:與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)命令集兼容。
最大限度增強(qiáng)功能:提供所需的密度,以最大限度提高系統(tǒng)功能,降低物料成本。用戶自建的內(nèi)容直接存儲(chǔ)到設(shè)備上,無(wú)需使用單獨(dú)的NAND芯片。
速度更快:美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s,寫入速度比NOR閃存(不到0.5MB/s)更快。
簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì):去掉了外部卡插槽,因此降低了物料成本;并利用芯片上的糾錯(cuò)碼(ECC)來(lái)解決出廠原始NAND閃存伴生的復(fù)雜問(wèn)題。
更安全:提供了只讀區(qū)和保護(hù)性的塊鎖,以避免設(shè)備上存儲(chǔ)的內(nèi)容遭到擅自更改。
產(chǎn)品上市情況
美光的1Gb串行NAND技術(shù)現(xiàn)已推出試用產(chǎn)品,預(yù)計(jì)于2009年一季度投入量產(chǎn)。美光公司還計(jì)劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產(chǎn)品,容量將可達(dá)到4Gb。
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